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STS1DNC45
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-Ch 450 Volt 0.4 A
Date Sheet
在庫數 5000
- 1+： $1.72614
- 10+： $1.62844
- 100+： $1.53626
- 500+： $1.44930
- 1000+： $1.36727
小計金額 $1.72614
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Voltage - Rated DC：450V
- Max Power Dissipation：1.6W
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：400mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STS1D
- Pin Count：8
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- Turn On Delay Time：6.7 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.5 Ω @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.7V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：160pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：10nC @ 10V
- Rise Time：4ns
- Fall Time (Typ)：4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：400mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.4A
- Drain to Source Breakdown Voltage：450V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：1.6A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：30 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Standard
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5000
- 1+： $1.72614
- 10+： $1.62844
- 100+： $1.53626
- 500+： $1.44930
- 1000+： $1.36727
小計金額 $1.72614
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