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画像はあくまで参考です。
FQS4903TF
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Trans Mosfet N-ch 500V 0.37A 8-PIN SOIC N T/r
Date Sheet
在庫數 2800
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：8
- Weight：230.4mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：20 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：QFET®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：500V
- Max Power Dissipation：2W
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：370mA
- Base Part Number：FQS4903
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- Turn On Delay Time：5.5 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：6.2 Ω @ 185mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：200pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：8.2nC @ 10V
- Rise Time：20ns
- Fall Time (Typ)：45 ns
- Continuous Drain Current (ID)：370mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.37A
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Dual Supply Voltage：500V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Standard
- Nominal Vgs：4 V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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