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画像はあくまで参考です。
FDG6322C
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans Mosfet N/p-ch 25V 0.22A/0.41A 6-PIN SC-70 T/r
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $0.63218
- 10+： $0.59639
- 100+： $0.56263
- 500+： $0.53079
- 1000+： $0.50074
小計金額 $0.63218
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Package / Case：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：6
- Weight：28mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：220mA 410mA
- Turn Off Delay Time：55 ns
- Number of Elements：2
- Published：2017
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：4Ohm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Max Power Dissipation：300mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：220mA
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300mW
- FET Type：N and P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4 Ω @ 220mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：9.5pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：0.4nC @ 4.5V
- Rise Time：8ns
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Fall Time (Typ)：8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：220mA
- Threshold Voltage：850mV
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain to Source Breakdown Voltage：25V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Nominal Vgs：850 mV
- Width：1.25mm
- Length：2mm
- Height：1mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
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