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画像はあくまで参考です。
FDS8958B
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC N T/R
Date Sheet
在庫數 494220
- 1+： $1.16311
- 10+： $1.09727
- 100+： $1.03516
- 500+： $0.97657
- 1000+： $0.92129
小計金額 $1.16311
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：187mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.4A 4.5A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：17 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2017
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：26MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：900mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.6W
- FET Type：N and P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：26m Ω @ 6.4A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：540pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：12nC @ 10V
- Rise Time：6ns
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Fall Time (Typ)：6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.5A
- Threshold Voltage：2V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6.4A
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：1.575mm
- Length：4.9mm
- Width：3.9mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 494220
- 1+： $1.16311
- 10+： $1.09727
- 100+： $1.03516
- 500+： $0.97657
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