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画像はあくまで参考です。
FDMS7602S
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-PowerWDFN
- MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Date Sheet
在庫數 121
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Contact Plating：Gold
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerWDFN
- Number of Pins：8
- Weight：211mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A 17A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：27 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e4
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：7.5MOhm
- Max Power Dissipation：2.5W
- JESD-30 Code：R-PDSO-N6
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1W
- Case Connection：DRAIN SOURCE
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：7.5m Ω @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1750pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：28nC @ 10V
- Rise Time：3.8ns
- Fall Time (Typ)：3.2 ns
- Continuous Drain Current (ID)：17A
- Threshold Voltage：1.8V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：40A
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Nominal Vgs：1.8 V
- Height：700μm
- Length：5mm
- Width：6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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