日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDS6986AS
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Date Sheet
在庫數 15000
- 1+： $1.47219
- 10+： $1.38886
- 100+： $1.31024
- 500+： $1.23608
- 1000+： $1.16611
小計金額 $1.47219
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：187mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.5A 7.9A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：24 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®, SyncFET™
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：29MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：30V
- Max Power Dissipation：900mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：7.9A
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：29m Ω @ 6.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：720pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：17nC @ 10V
- Rise Time：9ns
- Fall Time (Typ)：3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7.9mA
- Threshold Voltage：1.7V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6.5A
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：1.5mm
- Length：5mm
- Width：3.99mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 15000
- 1+： $1.47219
- 10+： $1.38886
- 100+： $1.31024
- 500+： $1.23608
- 1000+： $1.16611
小計金額 $1.47219
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
