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画像はあくまで参考です。
FDC6304P
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT-6
Date Sheet
在庫數 300000
- 1+： $0.33414
- 10+： $0.31522
- 100+： $0.29738
- 500+： $0.28055
- 1000+： $0.26467
小計金額 $0.33414
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：460mA
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：55 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：1.1Ohm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-25V
- Max Power Dissipation：700mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-460mA
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：900mW
- Turn On Delay Time：7 ns
- FET Type：2 P-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.1 Ω @ 500mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：62pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：1.5nC @ 4.5V
- Rise Time：8ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：25V
- Fall Time (Typ)：8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：-460mA
- Threshold Voltage：-860mV
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-25V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 300000
- 1+： $0.33414
- 10+： $0.31522
- 100+： $0.29738
- 500+： $0.28055
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小計金額 $0.33414
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