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画像はあくまで参考です。
DMN2016UTS-13
-
Diodes Incorporated
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
Date Sheet
在庫數 2500
- 1+： $0.95619
- 10+： $0.90207
- 100+： $0.85101
- 500+： $0.80284
- 1000+： $0.75739
小計金額 $0.95619
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：157.991892mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：59.38 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2009
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：14.5mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：880mW
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：DMN2016U
- Pin Count：8
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：880mW
- Turn On Delay Time：10.39 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：14.5m Ω @ 9.4A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1495pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16.5nC @ 4.5V
- Rise Time：11.66ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- Fall Time (Typ)：16.27 ns
- Continuous Drain Current (ID)：8.58A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：1.025mm
- Length：4.5mm
- Width：3.1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2500
- 1+： $0.95619
- 10+： $0.90207
- 100+： $0.85101
- 500+： $0.80284
- 1000+： $0.75739
小計金額 $0.95619
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