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画像はあくまで参考です。
DMP2035UTS-13
-
Diodes Incorporated
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- MOSFET MOSFET P-CHAN
Date Sheet
在庫數 40692
- 1+： $0.71437
- 10+： $0.67394
- 100+： $0.63579
- 500+： $0.59980
- 1000+： $0.56585
小計金額 $0.71437
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：15 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：157.991892mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：94.1 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2010
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Max Power Dissipation：890mW
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：DMP2035UTS
- Pin Count：8
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：890mW
- Turn On Delay Time：16.8 ns
- FET Type：2 P-Channel (Dual) Common Drain
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：35m Ω @ 4A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1610pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15.4nC @ 4.5V
- Rise Time：12.4ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- Fall Time (Typ)：42.4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.04A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain-source On Resistance-Max：0.045Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：-20V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 40692
- 1+： $0.71437
- 10+： $0.67394
- 100+： $0.63579
- 500+： $0.59980
- 1000+： $0.56585
小計金額 $0.71437
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