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画像はあくまで参考です。
STP20NK50Z
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
Date Sheet
在庫數 1586
- 1+： $4.52273
- 10+： $4.26672
- 100+： $4.02521
- 500+： $3.79737
- 1000+： $3.58242
小計金額 $4.52273
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：70 ns
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A Tc
- Operating Temperature：-50°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：270mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：500V
- Current Rating：17A
- Base Part Number：STP20N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：190W
- Turn On Delay Time：28 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：270m Ω @ 8.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2600pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：119nC @ 10V
- Rise Time：20ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：15 ns
- Continuous Drain Current (ID)：17A
- Threshold Voltage：3.75V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：68A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：850 mJ
- Width：4.6mm
- Length：10.4mm
- Height：15.75mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1586
- 1+： $4.52273
- 10+： $4.26672
- 100+： $4.02521
- 500+： $3.79737
- 1000+： $3.58242
小計金額 $4.52273
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