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画像はあくまで参考です。
STW78N65M5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 650V 69A TO247
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $11.46766
- 10+： $10.81855
- 100+： $10.20618
- 500+： $9.62847
- 1000+： $9.08346
小計金額 $11.46766
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：69A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：450W Tc
- Turn Off Delay Time：26 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STW78N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：450W
- Turn On Delay Time：163 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：32m Ω @ 34.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：9000pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：203nC @ 10V
- Rise Time：14ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：14 ns
- Continuous Drain Current (ID)：69A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：276A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：2000 mJ
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
- 1+： $11.46766
- 10+： $10.81855
- 100+： $10.20618
- 500+： $9.62847
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小計金額 $11.46766
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