日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDMS86202
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-PowerTDFN
- N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 120V, 64A, 7.2mO
Date Sheet
在庫數 190
- 1+： $4.15567
- 10+： $3.92044
- 100+： $3.69853
- 500+： $3.48918
- 1000+： $3.29168
小計金額 $4.15567
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerTDFN
- Number of Pins：8
- Weight：56.5mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Power Dissipation (Max)：2.7W Ta 156W Tc
- Turn Off Delay Time：27 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2017
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Turn On Delay Time：21 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：7.2m Ω @ 13.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4250pF @ 60V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：64nC @ 10V
- Rise Time：6ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：13.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：40A
- Drain to Source Breakdown Voltage：120V
- Height：1.05mm
- Length：5.1mm
- Width：6.25mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 190
- 1+： $4.15567
- 10+： $3.92044
- 100+： $3.69853
- 500+： $3.48918
- 1000+： $3.29168
小計金額 $4.15567
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
