FDMS86101

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-PowerTDFN
MOSFET 100/20V Nch Power Trench
Date Sheet

在庫數 13768

1+： $2.42584
10+： $2.28853
100+： $2.15899
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小計金額 $2.42584

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Factory Lead Time：10 Weeks
Contact Plating：Tin
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：8-PowerTDFN
Number of Pins：8
Weight：68.1mg
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12.4A Ta 60A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 104W Tc
Turn Off Delay Time：27 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：PowerTrench®
Published：2009
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：5
ECCN Code：EAR99
Resistance：8MOhm
Terminal Position：DUAL
JESD-30 Code：R-PDSO-N5
Number of Channels：1
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：2.5W
Case Connection：DRAIN
Turn On Delay Time：15 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：8m Ω @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3000pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：55nC @ 10V
Rise Time：11ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：7 ns
Continuous Drain Current (ID)：60A
Threshold Voltage：2.9V
JEDEC-95 Code：MO-240AA
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain to Source Breakdown Voltage：100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：200A
Max Junction Temperature (Tj)：150°C
Height：1.1mm
Length：5.1mm
Width：6.25mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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