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画像はあくまで参考です。
FDFS2P106A
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
Date Sheet
在庫數 5100
- 1+： $7.33672
- 10+： $6.92143
- 100+： $6.52965
- 500+： $6.16005
- 1000+： $5.81137
小計金額 $7.33672
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：230.4mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：900mW Ta
- Turn Off Delay Time：28 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-60V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-3A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：110m Ω @ 3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：714pF @ 30V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：21nC @ 10V
- Rise Time：11ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：8.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：-3A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3A
- Drain to Source Breakdown Voltage：-60V
- FET Feature：Schottky Diode (Isolated)
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5100
- 1+： $7.33672
- 10+： $6.92143
- 100+： $6.52965
- 500+： $6.16005
- 1000+： $5.81137
小計金額 $7.33672
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