FDC602P

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
Date Sheet

在庫數 23040

1+： $0.80352
10+： $0.75804
100+： $0.71513
500+： $0.67465
1000+： $0.63647

小計金額 $0.80352

仕様よくある質問

Factory Lead Time：10 Weeks
Contact Plating：Tin
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Number of Pins：6
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
Turn Off Delay Time：57 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：PowerTrench®
Published：2001
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：6
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：35MOhm
Voltage - Rated DC：-20V
Terminal Position：DUAL
Terminal Form：GULL WING
Current Rating：-5.5A
Number of Channels：1
Voltage：20V
Element Configuration：Single
Current：55A
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：1.6W
Turn On Delay Time：15 ns
FET Type：P-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：35m Ω @ 5.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1456pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：20nC @ 4.5V
Rise Time：11ns
Vgs (Max)：±12V
Fall Time (Typ)：11 ns
Continuous Drain Current (ID)：-5.5A
Threshold Voltage：-900mV
Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
Drain to Source Breakdown Voltage：-20V
Dual Supply Voltage：-20V
Max Junction Temperature (Tj)：150°C
Nominal Vgs：-900 mV
Height：1.1mm
Length：3mm
Width：1.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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