日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDC637BNZ
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R
Date Sheet
在庫數 23040
- 1+： $0.63477
- 10+： $0.59884
- 100+： $0.56495
- 500+： $0.53297
- 1000+： $0.50280
小計金額 $0.63477
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.2A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：22 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：24MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：800mW
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：24m Ω @ 6.2A, 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：895pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：12nC @ 4.5V
- Rise Time：6ns
- Vgs (Max)：±12V
- Fall Time (Typ)：6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.2A
- Threshold Voltage：800mV
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Nominal Vgs：800 mV
- Height：1.1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 23040
- 1+： $0.63477
- 10+： $0.59884
- 100+： $0.56495
- 500+： $0.53297
- 1000+： $0.50280
小計金額 $0.63477
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
