FDC608PZ

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
Date Sheet

在庫數 6000

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10+： $0.65027
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500+： $0.57874
1000+： $0.54598

小計金額 $0.68929

仕様よくある質問

Factory Lead Time：13 Weeks
Contact Plating：Tin
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Number of Pins：6
Weight：36mg
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
Turn Off Delay Time：91 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
Number of Elements：1
Series：PowerTrench®
Published：2006
Packaging：Tape & Reel (TR)
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：6
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：30MOhm
Voltage - Rated DC：-20V
Terminal Position：DUAL
Terminal Form：GULL WING
Current Rating：-5.8A
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：1.6W
Turn On Delay Time：13 ns
FET Type：P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs：30m Ω @ 5.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1330pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：23nC @ 4.5V
Rise Time：8ns
Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
Vgs (Max)：±12V
Fall Time (Typ)：8 ns
Continuous Drain Current (ID)：5.8A
Threshold Voltage：-1V
Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
Drain to Source Breakdown Voltage：-20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20A
Dual Supply Voltage：-20V
Nominal Vgs：-1 V
Height：1mm
Length：3mm
Width：1.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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