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STN1NF20
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Date Sheet
在庫數 4000
- 1+： $0.93845
- 10+： $0.88533
- 100+： $0.83522
- 500+： $0.78794
- 1000+： $0.74334
小計金額 $0.93845
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2W Ta
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：STripFET™ II
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STN1N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：90pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：5.7nC @ 10V
- Rise Time：5.6ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：12.4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：1A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：1A
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：4A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：70 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 4000
- 1+： $0.93845
- 10+： $0.88533
- 100+： $0.83522
- 500+： $0.78794
- 1000+： $0.74334
小計金額 $0.93845
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