FDC2612

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor, Mosfet, N-channel, 200V V(br)dss, 1.1A I(d), TSOP
Date Sheet

在庫數 29500

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10+： $0.97492
100+： $0.91974
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小計金額 $1.03342

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time：15 Weeks
Contact Plating：Tin
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Number of Pins：6
Weight：36mg
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
Turn Off Delay Time：17 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：PowerTrench®
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：6
ECCN Code：EAR99
Resistance：725MOhm
Voltage - Rated DC：200V
Terminal Position：DUAL
Terminal Form：GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
Current Rating：1.1A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
Qualification Status：Not Qualified
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：1.6W
Turn On Delay Time：6 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：725m Ω @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：234pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：11nC @ 10V
Rise Time：6ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：6 ns
Continuous Drain Current (ID)：1.1A
Threshold Voltage：4V
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain to Source Breakdown Voltage：200V
Height：1mm
Length：3mm
Width：1.7mm
REACH SVHC：No SVHC
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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