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STT6N3LLH6
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SOT-23-6
- MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
Date Sheet
在庫數 202
- 1+： $0.59429
- 10+： $0.56065
- 100+： $0.52892
- 500+： $0.49898
- 1000+： $0.47074
小計金額 $0.59429
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：20 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6
- Number of Pins：6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：1.6W Tc
- Turn Off Delay Time：9.4 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VI
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Base Part Number：STT6N
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.6W
- Turn On Delay Time：4.8 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：25m Ω @ 3A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：283pF @ 24V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：3.6nC @ 4.5V
- Rise Time：11.2ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：5.4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6A
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Width：1.75mm
- Height：1.3mm
- Length：3.05mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 202
- 1+： $0.59429
- 10+： $0.56065
- 100+： $0.52892
- 500+： $0.49898
- 1000+： $0.47074
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