日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STU7NM60N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
Date Sheet
在庫數 610
- 1+： $2.34688
- 10+： $2.21404
- 100+： $2.08871
- 500+： $1.97049
- 1000+： $1.85895
小計金額 $2.34688
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：45W Tc
- Turn Off Delay Time：26 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：900MOhm
- Base Part Number：STU7N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：45W
- Turn On Delay Time：7 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：900m Ω @ 2.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：363pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：14nC @ 10V
- Rise Time：10ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：12 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：5A
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20A
- Height：6.9mm
- Length：6.6mm
- Width：2.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 610
- 1+： $2.34688
- 10+： $2.21404
- 100+： $2.08871
- 500+： $1.97049
- 1000+： $1.85895
小計金額 $2.34688
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
