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FCB36N60NTM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Date Sheet
在庫數 5028
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Weight：1.762g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：36A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：312W Tc
- Turn Off Delay Time：94 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：SupreMOS™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：90MOhm
- Base Part Number：FCB36N60
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：312W
- Turn On Delay Time：23 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：90m Ω @ 18A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4785pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：112nC @ 10V
- Rise Time：22ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：36A
- Threshold Voltage：2V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：4.83mm
- Length：10.67mm
- Width：11.33mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5028
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