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STF8NK100Z
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
Date Sheet
在庫數 15000
- 1+： $5.10410
- 10+： $4.81519
- 100+： $4.54263
- 500+： $4.28550
- 1000+： $4.04293
小計金額 $5.10410
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：40W Tc
- Turn Off Delay Time：59 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 100μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：1.85Ohm
- Voltage - Rated DC：1kV
- Current Rating：6.5A
- Base Part Number：STF8N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：40W
- Turn On Delay Time：28 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.85 Ω @ 3.15A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2180pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：102nC @ 10V
- Rise Time：19ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：1000V
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：30 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.5A
- Threshold Voltage：3.75V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：1kV
- Height：16.4mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 15000
- 1+： $5.10410
- 10+： $4.81519
- 100+： $4.54263
- 500+： $4.28550
- 1000+： $4.04293
小計金額 $5.10410
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