日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
RFD3055LE
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3 Tab) IPAK Rail
Date Sheet
在庫數 26000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Weight：343.08mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：38W Tc
- Turn Off Delay Time：22 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：107mOhm
- Voltage - Rated DC：60V
- Current Rating：11A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：38W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：107m Ω @ 8A, 5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：350pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：11.3nC @ 10V
- Rise Time：105ns
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：39 ns
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Recovery Time：66 ns
- Nominal Vgs：3 V
- Height：6.3mm
- Length：6.8mm
- Width：2.5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 26000
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
