STD150N3LLH6

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet

在庫數 12800

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仕様よくある質問

Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins：3
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：110W Tc
Turn Off Delay Time：75 ns
Operating Temperature：175°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：DeepGATE™, STripFET™ VI
JESD-609 Code：e3
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：2
ECCN Code：EAR99
Resistance：2.8mOhm
Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form：GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)：260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
Base Part Number：STD15
Pin Count：3
JESD-30 Code：R-PSSO-G2
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：110W
Case Connection：DRAIN
Turn On Delay Time：17 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.8m Ω @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：29nC @ 4.5V
Rise Time：18ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：46 ns
Continuous Drain Current (ID)：80A
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain to Source Breakdown Voltage：30V
Avalanche Energy Rating (Eas)：525 mJ
Nominal Vgs：2.5 V
Height：2.4mm
Length：6.6mm
Width：6.2mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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