日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STD155N3H6
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet
在庫數 2500
- 1+： $0.88679
- 10+： $0.83660
- 100+： $0.78924
- 500+： $0.74457
- 1000+： $0.70242
小計金額 $0.88679
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VI
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：3MOhm
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD15
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3m Ω @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3650pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：62nC @ 10V
- Rise Time：90ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Threshold Voltage：2V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：525 mJ
- Height：2.4mm
- Length：6.6mm
- Width：6.2mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2500
- 1+： $0.88679
- 10+： $0.83660
- 100+： $0.78924
- 500+： $0.74457
- 1000+： $0.70242
小計金額 $0.88679
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
