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画像はあくまで参考です。
FDC640P
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
Date Sheet
在庫數 21592
- 1+： $1.04752
- 10+： $0.98823
- 100+： $0.93229
- 500+： $0.87952
- 1000+： $0.82973
小計金額 $1.04752
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：24 ns
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2001
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：53mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-20V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-4.5A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.6W
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：53m Ω @ 4.5A, 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：890pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13nC @ 4.5V
- Rise Time：9ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- Vgs (Max)：±12V
- Fall Time (Typ)：13 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.5mA
- Threshold Voltage：-1V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-20V
- Nominal Vgs：-1 V
- Width：1.7mm
- Height：1mm
- Length：3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 21592
- 1+： $1.04752
- 10+： $0.98823
- 100+： $0.93229
- 500+： $0.87952
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小計金額 $1.04752
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