STB30NF20

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Date Sheet

在庫數 18

1+： $2.26208
10+： $2.13404
100+： $2.01324
500+： $1.89929
1000+： $1.79178

小計金額 $2.26208

仕様よくある質問

Factory Lead Time：12 Weeks
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins：2
Transistor Element Material：SILICON
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：125W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Turn Off Delay Time：38 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：STripFET™
JESD-609 Code：e3
Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：2
ECCN Code：EAR99
Resistance：65mOhm
Terminal Finish：MATTE TIN
Terminal Form：GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)：245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
Base Part Number：STB30N
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：125W
Turn On Delay Time：35 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：75m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1597pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：38nC @ 10V
Rise Time：15.7ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：8.8 ns
Continuous Drain Current (ID)：30A
Threshold Voltage：3V
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain to Source Breakdown Voltage：200V
Avalanche Energy Rating (Eas)：140 mJ
Nominal Vgs：3 V
Height：4.6mm
Length：10.4mm
Width：9.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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