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画像はあくまで参考です。
FCP110N65F
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET SuperFET2 650V, 110mohm
Date Sheet
在庫數 100
- 1+： $6.52065
- 10+： $6.15155
- 100+： $5.80335
- 500+： $5.47486
- 1000+： $5.16496
小計金額 $6.52065
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：35A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：357W Tc
- Turn Off Delay Time：89 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：FRFET®, SuperFET® II
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Turn On Delay Time：31 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：110m Ω @ 17.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 3.5mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4895pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：145nC @ 10V
- Rise Time：21ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：5.7 ns
- Continuous Drain Current (ID)：35A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：809 mJ
- Height：16.3mm
- Length：10.67mm
- Width：4.7mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 100
- 1+： $6.52065
- 10+： $6.15155
- 100+： $5.80335
- 500+： $5.47486
- 1000+： $5.16496
小計金額 $6.52065
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