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画像はあくまで参考です。
FCPF36N60NT
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET SupreMOS, 36A in TF220
Date Sheet
在庫數 6000
- 1+： $4.58967
- 10+： $4.32988
- 100+： $4.08479
- 500+： $3.85358
- 1000+： $3.63545
小計金額 $4.58967
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：36A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：94 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SupreMOS™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：23 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：90m Ω @ 18A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4785pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：112nC @ 10V
- Rise Time：22ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：36A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.09Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：16.07mm
- Length：10.36mm
- Width：4.9mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 6000
- 1+： $4.58967
- 10+： $4.32988
- 100+： $4.08479
- 500+： $3.85358
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