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画像はあくまで参考です。
FQPF4N90C
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
Date Sheet
在庫數 35700
- 1+： $2.10136
- 10+： $1.98242
- 100+： $1.87020
- 500+： $1.76434
- 1000+： $1.66447
小計金額 $2.10136
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：47W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：900V
- Current Rating：4A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：47W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.2 Ω @ 2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：960pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：22nC @ 10V
- Rise Time：50ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：35 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：4A
- Drain to Source Breakdown Voltage：900V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：570 mJ
- Height：9.19mm
- Length：10.16mm
- Width：4.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 35700
- 1+： $2.10136
- 10+： $1.98242
- 100+： $1.87020
- 500+： $1.76434
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小計金額 $2.10136
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