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FDP8896
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
Date Sheet
在庫數 19
- 1+： $1.60932
- 10+： $1.51822
- 100+： $1.43228
- 500+： $1.35121
- 1000+： $1.27473
小計金額 $1.60932
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：16A Ta 92A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：80W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：56 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：PowerTrench®
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：5.9MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Voltage - Rated DC：30V
- Current Rating：92A
- Voltage：30V
- Element Configuration：Single
- Current：60A
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：80W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：9 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：5.9m Ω @ 35A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2525pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：67nC @ 10V
- Rise Time：103ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：44 ns
- Continuous Drain Current (ID)：92A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：74 mJ
- Height：9.4mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 19
- 1+： $1.60932
- 10+： $1.51822
- 100+： $1.43228
- 500+： $1.35121
- 1000+： $1.27473
小計金額 $1.60932
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