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STD13NM60ND
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- N-Channel 600 V 0.38 Ohm SMT FDmesh II Power Mosfet - DPAK
Date Sheet
在庫數 3000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：109W Tc
- Turn Off Delay Time：9.6 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：FDmesh™ II
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：380mOhm
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD13
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：109W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：46.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：380m Ω @ 5.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：845pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：24.5nC @ 10V
- Rise Time：10ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：15.4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- Height：2.4mm
- Length：6.6mm
- Width：6.2mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
小計金額 $0.00000
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