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STW42N65M5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 650V 33A TO-247
Date Sheet
在庫數 39
- 1+： $12.81147
- 10+： $12.08629
- 100+： $11.40216
- 500+： $10.75675
- 1000+： $10.14788
小計金額 $12.81147
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Manufacturer Package Identifier：STW42N65M5
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：33A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：65 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：79mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Base Part Number：STW42N
- Pin Count：3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：190W
- Turn On Delay Time：61 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：79m Ω @ 16.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4650pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：100nC @ 10V
- Rise Time：24ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：13 ns
- Continuous Drain Current (ID)：33A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：950 mJ
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Height：24.45mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 39
- 1+： $12.81147
- 10+： $12.08629
- 100+： $11.40216
- 500+： $10.75675
- 1000+： $10.14788
小計金額 $12.81147
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