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画像はあくまで参考です。
FCH35N60
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET 600V N-Channel SuperFET
Date Sheet
在庫數 2380
- 1+： $5.24394
- 10+： $4.94712
- 100+： $4.66709
- 500+： $4.40292
- 1000+： $4.15369
小計金額 $5.24394
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.39g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：35A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：312.5W Tc
- Turn Off Delay Time：105 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMOS™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：312.5W
- Turn On Delay Time：34 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：98m Ω @ 17.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：6640pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：181nC @ 10V
- Rise Time：120ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：73 ns
- Continuous Drain Current (ID)：35A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.098Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：20.82mm
- Length：15.87mm
- Width：4.82mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 2380
- 1+： $5.24394
- 10+： $4.94712
- 100+： $4.66709
- 500+： $4.40292
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