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画像はあくまで参考です。
STW34NM60ND
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD
Date Sheet
在庫數 10010
- 1+： $10.25175
- 10+： $9.67146
- 100+： $9.12402
- 500+： $8.60756
- 1000+： $8.12034
小計金額 $10.25175
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：29A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：111 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：FDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：110MOhm
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Base Part Number：STW34N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：190W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：30 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：110m Ω @ 14.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2785pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：80.4nC @ 10V
- Rise Time：53.4ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：61.8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：29A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10010
- 1+： $10.25175
- 10+： $9.67146
- 100+： $9.12402
- 500+： $8.60756
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小計金額 $10.25175
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