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FDD8882
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET 30V N-Channel PowerTrenchAr MOSFET
Date Sheet
在庫數 12500
- 1+： $0.75903
- 10+： $0.71607
- 100+： $0.67554
- 500+： $0.63730
- 1000+： $0.60123
小計金額 $0.75903
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12.6A Ta 55A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：55W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：30V
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：55A
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：55W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：11.5m Ω @ 35A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1260pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：33nC @ 10V
- Rise Time：82ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：25 ns
- Continuous Drain Current (ID)：55A
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Height：2.39mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 12500
- 1+： $0.75903
- 10+： $0.71607
- 100+： $0.67554
- 500+： $0.63730
- 1000+： $0.60123
小計金額 $0.75903
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