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STD120N4LF6
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Date Sheet
在庫數 2100
- 1+： $2.47563
- 10+： $2.33550
- 100+： $2.20330
- 500+： $2.07858
- 1000+： $1.96093
小計金額 $2.47563
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Turn Off Delay Time：125 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：4MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Base Part Number：STD12
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4m Ω @ 40A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4300pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：80nC @ 10V
- Rise Time：95ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：45 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Threshold Voltage：1V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：40V
- Length：6.6mm
- Height：2.4mm
- Width：6.2mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2100
- 1+： $2.47563
- 10+： $2.33550
- 100+： $2.20330
- 500+： $2.07858
- 1000+： $1.96093
小計金額 $2.47563
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