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画像はあくまで参考です。
FDD5N50NZTM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET UNIFET2 500V
Date Sheet
在庫數 480
- 1+： $1.63702
- 10+： $1.54436
- 100+： $1.45695
- 500+： $1.37448
- 1000+： $1.29668
小計金額 $1.63702
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：62W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：UniFET™
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：62W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 2A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：440pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：12nC @ 10V
- Rise Time：22ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：21 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：4A
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Height：2.39mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 480
- 1+： $1.63702
- 10+： $1.54436
- 100+： $1.45695
- 500+： $1.37448
- 1000+： $1.29668
小計金額 $1.63702
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