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画像はあくまで参考です。
FQD6N50CTM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Transistor, Mosfet, N-Channel, 500V V(Br)Dss, 4.5A I(D), To-252Aa
Date Sheet
在庫數 350
- 1+： $0.62396
- 10+： $0.58864
- 100+： $0.55532
- 500+： $0.52389
- 1000+： $0.49423
小計金額 $0.62396
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Turn Off Delay Time：55 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 61W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：QFET®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：500V
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：4.5A
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.2 Ω @ 2.25A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：700pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：25nC @ 10V
- Rise Time：35ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：45 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 350
- 1+： $0.62396
- 10+： $0.58864
- 100+： $0.55532
- 500+： $0.52389
- 1000+： $0.49423
小計金額 $0.62396
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