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画像はあくまで参考です。
FDC8886
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET
Date Sheet
在庫數 2231
- 1+： $0.56376
- 10+： $0.53185
- 100+： $0.50175
- 500+： $0.47335
- 1000+： $0.44655
小計金額 $0.56376
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.5A Ta 8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：11 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.6W
- Turn On Delay Time：5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：23m Ω @ 6.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：465pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：7.4nC @ 10V
- Rise Time：1ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：1 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6.5A
- JEDEC-95 Code：MO-193AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：8A
- Drain-source On Resistance-Max：0.023Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Feedback Cap-Max (Crss)：25 pF
- Height：1mm
- Length：3mm
- Width：1.7mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 2231
- 1+： $0.56376
- 10+： $0.53185
- 100+： $0.50175
- 500+： $0.47335
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小計金額 $0.56376
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