FDC653N

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ON SEMICONDUCTOR - FDC653N - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Date Sheet

在庫數 23040

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小計金額 $0.96751

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Factory Lead Time：10 Weeks
Contact Plating：Tin
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Number of Pins：6
Weight：30mg
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
Turn Off Delay Time：13 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Published：1997
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：6
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：35MOhm
Voltage - Rated DC：30V
Terminal Position：DUAL
Terminal Form：GULL WING
Current Rating：5A
Number of Channels：1
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：1.6W
Turn On Delay Time：7.5 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：35m Ω @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：350pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：17nC @ 10V
Rise Time：12ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：12 ns
Continuous Drain Current (ID)：5A
Threshold Voltage：1.7V
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)：5A
Drain to Source Breakdown Voltage：30V
Dual Supply Voltage：30V
Max Junction Temperature (Tj)：150°C
Nominal Vgs：1.7 V
Height：1.1mm
Length：3mm
Width：1.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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