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画像はあくまで参考です。
FDD6030L
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet
在庫數 17500
- 1+： $1.17985
- 10+： $1.11306
- 100+： $1.05006
- 500+： $0.99062
- 1000+： $0.93455
小計金額 $1.17985
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Ta 50A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.2W Ta 56W Tc
- Turn Off Delay Time：29 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：3.2W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：14.5m Ω @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1230pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：28nC @ 5V
- Rise Time：7ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：12 ns
- Continuous Drain Current (ID)：50A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 17500
- 1+： $1.17985
- 10+： $1.11306
- 100+： $1.05006
- 500+： $0.99062
- 1000+： $0.93455
小計金額 $1.17985
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