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画像はあくまで参考です。
FDS3580
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET SO-8 N-CH 80V
Date Sheet
在庫數 10000
- 1+： $1.95982
- 10+： $1.84888
- 100+： $1.74423
- 500+： $1.64550
- 1000+： $1.55236
小計金額 $1.95982
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：11 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：8
- Weight：130mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：34 ns
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.6A Ta
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：29mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：80V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：7.6A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：13 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：29m Ω @ 7.6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1800pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：46nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：16 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7.6A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：80V
- Width：3.9mm
- Length：4.9mm
- Height：1.575mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10000
- 1+： $1.95982
- 10+： $1.84888
- 100+： $1.74423
- 500+： $1.64550
- 1000+： $1.55236
小計金額 $1.95982
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