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STD4N62K3
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
Date Sheet
在庫數 2500
- 1+： $2.24766
- 10+： $2.12043
- 100+： $2.00041
- 500+： $1.88718
- 1000+： $1.78035
小計金額 $2.24766
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：70W Tc
- Turn Off Delay Time：29 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：SuperMESH3™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：1.95Ohm
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD4N
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：70W
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.95 Ω @ 1.9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：450pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：14nC @ 10V
- Rise Time：9ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：19 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.8A
- Threshold Voltage：3.75V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：620V
- Height：2.4mm
- Length：6.6mm
- Width：6.2mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2500
- 1+： $2.24766
- 10+： $2.12043
- 100+： $2.00041
- 500+： $1.88718
- 1000+： $1.78035
小計金額 $2.24766
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