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STB70NF3LLT4
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp
Date Sheet
在庫數 3000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：70A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：100W Tc
- Turn Off Delay Time：27 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：NRND (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：30V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Current Rating：70A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STB70N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：100W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：23 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：9.5m Ω @ 35A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1650pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：33nC @ 4.5V
- Rise Time：165ns
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：28 ns
- Continuous Drain Current (ID)：35A
- Threshold Voltage：1V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain-source On Resistance-Max：0.0095Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：280A
- Dual Supply Voltage：30V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：500 mJ
- Nominal Vgs：1 V
- Height：4.6mm
- Length：10.75mm
- Width：10.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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