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STW32NM50N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
Date Sheet
在庫數 34674
- 1+： $8.79109
- 10+： $8.29348
- 100+： $7.82404
- 500+： $7.38117
- 1000+： $6.96337
小計金額 $8.79109
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：110 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STW32N
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：190W
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：130m Ω @ 11A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1973pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：62.5nC @ 10V
- Rise Time：9.5ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：23.6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：22A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：88A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：340 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- REACH SVHC：not_compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 34674
- 1+： $8.79109
- 10+： $8.29348
- 100+： $7.82404
- 500+： $7.38117
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小計金額 $8.79109
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