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STW28N60M2
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Date Sheet
在庫數 14
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Weight：38.000013g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：100 ns
- Power Dissipation (Max)：170W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II Plus
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STW28N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：170W
- Turn On Delay Time：14.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：150m Ω @ 12A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1370pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：37nC @ 10V
- Rise Time：7.2ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：24A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：22A
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：88A
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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