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STW28NM50N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
Date Sheet
在庫數 2115
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：21A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：62 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：158mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Base Part Number：STW28N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：150W
- Turn On Delay Time：13.6 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：158m Ω @ 10.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1735pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：50nC @ 10V
- Rise Time：19ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：52 ns
- Continuous Drain Current (ID)：21A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：84A
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2115
小計金額 $0.00000
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