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STF8N65M5
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh V PWR MO
Date Sheet
在庫數 605
- 1+： $2.85480
- 10+： $2.69321
- 100+： $2.54076
- 500+： $2.39695
- 1000+： $2.26127
小計金額 $2.85480
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：TO-220FP
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：25W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Resistance：600MOhm
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Base Part Number：STF8N
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：25W
- Turn On Delay Time：50 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：600mOhm @ 3.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：690pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15nC @ 10V
- Rise Time：14ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：650V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：11 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Input Capacitance：690pF
- Drain to Source Resistance：560mOhm
- Rds On Max：600 mΩ
- Height：16.4mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 605
- 1+： $2.85480
- 10+： $2.69321
- 100+： $2.54076
- 500+： $2.39695
- 1000+： $2.26127
小計金額 $2.85480
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